筆記本維修之SDR內(nèi)存參數(shù)詳解 |
| 編輯：鄭州正達(dá)電腦維修服務(wù)公司 時(shí)間：2013/06/26 字號(hào):大 中 小 |
| 摘要：筆記本維修之SDR內(nèi)存參數(shù)詳解 |
| 從PC100標(biāo)準(zhǔn)開始內(nèi)存條上帶有SPD芯片，SPD芯片是內(nèi)存條正面右側(cè)的一塊8管腳小芯片，里面留存著內(nèi)存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當(dāng)開機(jī)時(shí)，支持SPD功能的主板BIOS就會(huì)讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設(shè)置內(nèi)存的存取時(shí)間。重慶宏基筆記本維修站可以借助SiSoft Sandra2001這類工具軟件來查看SPD芯片中的信息，例如軟件中顯示的SDRAM PC133U-333-542就表示被測(cè)內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范。 內(nèi)存技術(shù)規(guī)范統(tǒng)一的標(biāo)注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內(nèi)存規(guī)范，其格式也有所不同。 1、PC66/100 SDRAM內(nèi)存標(biāo)注格式 （1）1.0---1.2版本 這類版本內(nèi)存標(biāo)注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對(duì)CAS的延時(shí)），用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預(yù)充電時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2；e表示最大的tAC（相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間），一般為6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本號(hào)，所有的PC100內(nèi)存條上都有EEPROM，用來記錄此內(nèi)存條的相關(guān)信息，符合Intel PC100規(guī)范的為1。2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊(cè)，256MB以上的內(nèi)存必須經(jīng)過注冊(cè)。 （2）1.2b 版本 其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對(duì)CAS的延時(shí)），用時(shí)鐘周期數(shù)表示；d表示TRP（RAS的預(yù)充電時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表示；ee代表相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊(cè)，256MB以上的內(nèi)存必須經(jīng)過注冊(cè)。 2、PC133 SDRAM（版本為2.0）內(nèi)存標(biāo)注格式 威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，威盛力推的PC133規(guī)范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分規(guī)范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規(guī)范要嚴(yán)格一些，是PC133 CAS=2，要求內(nèi)存芯片至少7.5ns，在133MHz時(shí)最好能達(dá)到CAS=2。PC133 SDRAM標(biāo)注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型（R代表DIMM已注冊(cè)，U代表DIMM不含緩沖區(qū)；c表示最小的CL（即CAS的延遲時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2或3；d表示RAS相對(duì)CAS的延時(shí)，用時(shí)鐘周期數(shù)表示；e表示RAS預(yù)充電時(shí)間，用時(shí)鐘周期數(shù)表示；ff代表相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。 3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內(nèi)存標(biāo)注格式 其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內(nèi)存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，例如2100代表內(nèi)存帶寬為2100MB/s，對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型（R代表DIMM已注冊(cè)，U代表DIMM不含緩沖區(qū)；cc表示CAS延遲時(shí)間，用時(shí)鐘周期數(shù)表示，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對(duì)CAS的延時(shí)，用時(shí)鐘周期數(shù)表示；e表示RAS預(yù)充電時(shí)間，用時(shí)鐘周期數(shù)表示；ff代表相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。 4、RDRAM 內(nèi)存標(biāo)注格式 其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內(nèi)存容量；b代表內(nèi)存條上的內(nèi)存顆粒數(shù)量；c代表內(nèi)存支持ECC；d保存；e代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率，e*1/2=內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，例如800代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率為800Mt/s，對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為800*1/2=400MHZ。 5、各廠商內(nèi)存芯片編號(hào) 內(nèi)存打假的方法除了識(shí)別內(nèi)存標(biāo)注格式外，還可以利用刻在內(nèi)存芯片上的編號(hào)。內(nèi)存條上一般有多顆內(nèi)存芯片，內(nèi)存芯片因?yàn)樯a(chǎn)廠家的不同，其上的編號(hào)也有所不同。由于韓國(guó)HY和SEC占據(jù)了世界內(nèi)存產(chǎn)量的多半份額，它們產(chǎn)的內(nèi)存芯片質(zhì)量穩(wěn)定，價(jià)格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內(nèi)存，先來看看它們的內(nèi)存芯片編號(hào)。 （1）HYUNDAI（現(xiàn)代） 現(xiàn)代的SDRAM內(nèi)存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM芯片編號(hào)格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表現(xiàn)代的產(chǎn)品；5a表示芯片類型（57=SDRAM，5D=DDRSDRAM）；b代表工作電壓（空白=5V，V=3.3V,U=2.5V）；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代 表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成（1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的冪次關(guān)系）；I代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；j代表內(nèi)核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后世表內(nèi)核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。 例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現(xiàn)代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個(gè)Bank，C是第4個(gè)版本的內(nèi)核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。 1.SDRAM內(nèi)存（老版本） 第1字段由HY組成，代表現(xiàn)代產(chǎn)品。 第2字段代表產(chǎn)品類型，57代表DRAM；5D代表DDR SDRAM。 第3字段代表電壓，V代表3.3V；U代表2.5V。 第4字段代表密度和刷新，4代表4MB（1K刷新）；16代表16M（4K刷新）；64代表64M（8K刷新）；65代表64M（4K刷新）；128代表128M（8K刷新）；129代表128M（4K刷新）；257代表256MB（8K刷新）。 第5字段代表數(shù)據(jù)帶寬，40代表4位；80代表8位；16代表16位；32代表32位。 第6字段代表芯片組成，1代表2BANK；2代表4BANK。 第7字段代表電氣接口，0代表LVTTL；1代表SSTL；2代表SSTL2。 第8字段代表芯片修正版本；空白代表第1版，A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版；D代表第5版。 第9字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。 第10字段代表封裝方式；JC代表400mil SOJ；TC代表400mil TSOP Ⅱ、TD代表13mm TSOP-II、TG代表16mm TSOP-Ⅱ；TQ代表100Pin TQFPI。 |
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